2020年度 機械 問10
問題文
この問題の誤りを報告パワー半導体スイッチングデバイスとしては近年、主にIGBTとパワーMOSFETが用いられている。両者を比較した記述として、誤っているものを次の(1)〜(5)のうちから一つ選べ。
出典：第三種電気主任技術者 2020年度 機械 問10
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正答：(2)
要点
正解は(2)。パワーMOSFETはゲート電圧で制御する電圧駆動形素子です。ユニポーラデバイスで少数キャリア蓄積がなく高速にスイッチングできるため、電流駆動形とする記述が誤りです。
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正解は(2)です。
誤っている記述は(2)です。
パワーMOSFETは電圧駆動形の素子（ゲート電圧で制御）です。また、ユニポーラデバイスであるため少数キャリアの蓄積効果がなく、スイッチング速度が速く損失が小さいのが特徴です。
パワーMOSFETはゲート電圧で制御する電圧駆動形素子です。ユニポーラデバイスで少数キャリア蓄積がなく高速にスイッチングできるため、電流駆動形とする記述が誤りです。
以上より、選択肢(2)が正解です。