2022年度 上期 理論 問18(b)

図1、図2及び図3は、トランジスタ増幅器のバイアス回路を示す。次の(a)及び(b)の問に答えよ。
ただし、$V_{CC}$ は電源電圧、$V_B$ はベース電圧、$I_B$ はベース電流、$I_C$ はコレクタ電流、$I_E$ はエミッタ電流、$R, R_B, R_C$ 及び $R_E$ は抵抗を示す。

次の文章a, b及びcは、それぞれのバイアス回路における周囲温度の変化と電流 $I_C$ の関係について述べたものである。
a 温度上昇により $h_{FE}$ が増加すると $I_C$ が増加し、バイアス安定度が悪いバイアス回路の図は（ア）である。
b $h_{FE}$ の変化により $I_C$ が増加しようとすると、$V_B$ はほぼ一定であるから $V_{BE}$ が減少するので、$I_C$ や $I_E$ の増加を妨げるように働く。$I_C$ の変化の割合が比較的低く、バイアス安定度が良いものの、電力損失が大きいバイアス回路の図は（イ）である。
c $h_{FE}$ の変化により $I_C$ が増加しようとすると、$R_C$ の電圧降下も増加することでコレクタ・エミッタ間の電圧 $V_{CE}$ が低下する。これにより $R$ の電圧が減少し $I_B$ が減少するので、$I_C$ の増加が抑えられるバイアス回路の図は（ウ）である。

上記の記述中の空白箇所(ア)～(ウ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。