第三種電気主任技術者・2011年度・機械

2011年度機械問10

問題文

半導体電力変換装置では、整流ダイオード、サイリスタ、パワートランジスタ(バイポーラパワートランジスタ), パワー MOSFET, IGBT などのパワー半導体デバイスがバルブデバイスとして用いられている。
バルブデバイスに関する記述として、誤っているものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。

出典：第三種電気主任技術者 2011年度機械問10

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正解は(3)。パワートランジスタ（BJT）をスイッチとして使用する場合、OFF状態の遮断領域と、ON状態の飽和領域を切り替えて使用します。「能動領域（活性領域）」は増幅作用に用いる領域であり、スイッチング動作（低損失でのオン）には適しません。

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正解は(3)です。
パワートランジスタ（BJT）をスイッチとして使用する場合、OFF状態の遮断領域と、ON状態の飽和領域を切り替えて使用します。「能動領域（活性領域）」は増幅作用に用いる領域であり、スイッチング動作（低損失でのオン）には適しません。以上より、選択肢(3)が正解です。