2021年度 理論 問11
問題文
この問題の誤りを報告半導体に関する記述として、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
出典：第三種電気主任技術者 2021年度 理論 問11
回答を選ぶ
選択すると結果を表示見直しを保存するには、設定で端末内の記録をONにしてください。
正答・解説を確認する
正答：(2)
要点
正解は(2)。拡散電流はキャリア濃度の勾配によって生じ、濃度勾配に比例します。Si・GeとInP・GaAsの分類、ドーピングによる抵抗率低下、光・熱励起、ドリフト電流との違いで他の選択肢を消します。
詳細解説を読む
正解は(2)です。
- 誤り。Si, Geは単元素半導体。InP, GaAsは化合物半導体。
- 正しい。拡散電流は濃度勾配に比例して流れる（フィックの法則）。
- 誤り。不純物を加える（ドーピング）とキャリア濃度が増加し、抵抗率は大きく低下する。
- 誤り。光や熱エネルギーにより価電子帯の電子が伝導帯へ励起され、電子・正孔対が発生する。
- 誤り。ドリフト電流は電界に比例する（, ）。
以上より、選択肢(2)が正解です。