2022年度 上期 理論 問11
問題文
この問題の誤りを報告次の文章は、電界効果トランジスタ (FET) に関する記述である。
図は、nチャネル接合形 FETの断面を示した模式図である。ドレーン (D) 電極に電圧 を加え、ソース (S) 電極を接地すると、nチャネルの （ア） キャリヤが移動してドレーン電流 が流れる。ゲート (G) 電極に逆方向電圧 を加えると、pn接合付近に空乏層が形成されてnチャネルの幅が （イ） し、ドレーン電流 が （ウ） する。このことからFETは （エ） 制御形の素子である。
上記の記述中の空白箇所(ア)～(エ)に当てはまる組合せとして、正しいものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
出典：第三種電気主任技術者 2022年度 上期 理論 問11
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正答：(5)
要点
正解は(5)。nチャネルFETにおいて、電流を運ぶキャリアは電子であり、これは多数キャリアです。（pチャネルなら正孔）。
詳細解説を読む
正解は(5)です。
・nチャネルFETにおいて、電流を運ぶキャリアは電子であり、これは多数キャリアです。（pチャネルなら正孔）。
・ゲートに逆方向電圧を加えると、空乏層が広がるため、チャネルの幅（電流の流れる道）は減少します。
・チャネル幅が減少するため、ドレーン電流 は減少します。
・FETはゲート電圧によってドレーン電流を制御するため、電圧制御形の素子です。（対してバイポーラトランジスタは電流制御形）。
以上より、選択肢(5)が正解です。