第三種電気主任技術者・2010年度・理論

2010年度 理論 問11

次の文章は、図1及び図2に示す原理図を用いてホール素子の動作原理について述べたものである。

図1に示すように、p形半導体に直流電流 II [A] を流し、半導体の表面に対して垂直に下から上向きに磁束密度 BB [T] の平等磁界を半導体にかけると、半導体内の正孔は進路を曲げられ、電極①には ( ア ) 電荷、電極②には ( イ ) 電荷が分布し、半導体の内部に電界が生じる。また、図2のn形半導体の場合は、電界の方向はp形半導体の方向と ( ウ ) である。この電界により、電極①-②間にホール電圧 VH=RH×V_{H} = R_{H} \times ( エ ) [V] が発生する。ただし、dd [m] は半導体の厚さを示し、RHR_{H} は比例定数 [m3^3/C] である。

上記の記述中の空白箇所(ア), (イ), (ウ)及び(エ)に当てはまる語句又は式として、正しいものを組み合わせたのは次のうちどれか。

2010年度 理論 問11の問題図1

出典:第三種電気主任技術者 2010年度 理論 問11

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正答:(5)

要点

正解は(5)。ローレンツ力の方向。電流 II と磁束密度 BB の向きから、フレミングの左手の法則(または q(v×B)q(\boldsymbol{v} \times \boldsymbol{B}))を適用します。

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正解は(5)です。

  1. ローレンツ力の方向: 電流 II と磁束密度 BB の向きから、フレミングの左手の法則(または q(v×B)q(\boldsymbol{v} \times \boldsymbol{B}))を適用します。
    図の電流の向きと磁界の向き(下から上)を考慮すると、正孔(p形キャリア)は電極①(左側)の方向に力を受けます。
    よって、正孔は電極①側に蓄積し、(ア)電極①は 正、(イ)電極②は 負 に帯電します。
  2. n形半導体: キャリアは電子(負電荷)です。電子は電流と逆向きに移動しますが、負電荷であるためローレンツ力の向きは正孔と同じ(電極①方向)になります。しかし、蓄積するのが負電荷であるため、電極①が負、電極②が正になります。
    よって、発生する電界の方向はp形と 反対 (ウ) になります。
  3. ホール電圧の式: ホール電圧の公式は VH=RHBIdV_H = R_H \dfrac{BI}{d} です。よって (エ) は BId\dfrac{BI}{d} です。
    以上より、選択肢(5)が正解です。

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