2024年度 上期 理論 問11
問題文
この問題の誤りを報告バイポーラトランジスタと電界効果トランジスタ (FET) に関する記述として、誤っているものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。
出典：第三種電気主任技術者 2024年度 上期 理論 問11
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正答：(4)
要点
正解は(4)。誤りは制御方式の説明で、バイポーラトランジスタは電流制御素子、FET は電圧制御素子です。両者の違いを正面から問う知識問題です。
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正解は(4)です。
バイポーラトランジスタと FET の制御原理の違いを、基本定義で切り分けられるかがポイントです。
選択肢4の記述が誤りです。正しくは以下の通りです。
・バイポーラトランジスタ：ベース電流によってコレクタ電流を制御するため、「電流制御素子」と呼ばれます。
・FET (電界効果トランジスタ)：ゲート電圧（電界）によってドレイン電流を制御するため、「電圧制御素子」と呼ばれます。
他の選択肢は一般的に正しい記述です。
- バイポーラは電流駆動のため駆動電力が大きく、FET（特にCMOS）は低消費電力です。
- FET（特にMOSFET）はゲート絶縁膜が静電気で破壊されやすいため、バイポーラの方が静電気に強いです。
- FETの入力インピーダンスは極めて高いのに対し、バイポーラは比較的低いです。
- バイポーラは正孔と電子の両方が動作に関与し、FETはユニポーラ（どちらか片方）です。