第三種電気主任技術者・2018年度・理論

2018年度 理論 問16(b)

エミッタホロワ回路について、次の(a)及び(b)の問に答えよ。

図2は、エミッタホロワ回路の交流等価回路である。ただし、使用する周波数において図1の二つのコンデンサのインピーダンスが十分に小さい場合を考えている。ここで、hie=2.5h_{ie}=2.5 kΩ\Omega、hfe=100h_{fe}=100 であり、RER_{E} は小問(a)で求めた値とする。入力インピーダンス v˙ii˙i\dfrac{\dot{v}_{i}}{\dot{i}_{i}} の値 [kΩ\Omega] として、最も近いものを次の(1)~(5)のうちから一つ選べ。ただし、v˙i\dot{v}_{i}、i˙i\dot{i}_{i} はそれぞれ図2に示す入力電圧と入力電流である。

2018年度 理論 問16(b)の問題図1

出典:第三種電気主任技術者 2018年度 理論 問16(b)

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正答:(2)

要点

正解は(2)。入力インピーダンス ZinZ_{in} はバイアス抵抗 R1//R2R_1 // R_2 と、トランジスタ入力抵抗 ZtrZ_{tr} の並列合成である。エミッタホロワの Ztr≈hie+(1+hfe)RE=2.5+101×7.5≈760Z_{tr} \approx h_{ie} + (1+h_{fe})R_E = 2.5 + 101 \times 7.5 \approx 760 kΩ\Omega。

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入力インピーダンス ZinZ_{in} はバイアス抵抗 R1//R2R_1 // R_2 と、トランジスタ入力抵抗 ZtrZ_{tr} の並列合成である。
エミッタホロワの Ztr≈hie+(1+hfe)RE=2.5+101×7.5≈760Z_{tr} \approx h_{ie} + (1+h_{fe})R_E = 2.5 + 101 \times 7.5 \approx 760 kΩ\Omega。
バイアス抵抗 Rbias=18//82≈14.8R_{bias} = 18 // 82 \approx 14.8 kΩ\Omega。
Zin=14.8//760≈14.5Z_{in} = 14.8 // 760 \approx 14.5 kΩ\Omega。最も近いのは 15。

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