2023年度 下期 理論 問18(a)

図1は、飽和領域で動作する接合形FETを用いた増幅回路を示し、図中の $v_{i}$ 並びに $v_{o}$ はそれぞれ、入力と出力の小信号交流電圧 $\mathrm{[V]}$ を表す。また、図2は、その増幅回路で使用するFETのゲートーソース間電圧 $V_{gs} \mathrm{[V]}$ に対するドレーン電流 $I_{d} \mathrm{[mA]}$ の特性を示している。抵抗 $R_{G}=1 \mathrm{M\Omega}$、$R_{D}=5 \mathrm{k\Omega}$、$R_{L}=2.5 \mathrm{k\Omega}$、直流電源電圧 $V_{DD}=20 \mathrm{V}$ とするとき、次の(a)及び(b)の問に答えよ。
(選択問題)

FETの動作点が図2の点Pとなる抵抗 $R_{S}$ の値 $\mathrm{[k\Omega]}$ として、最も近いものを次の(1)～(5)のうちから一つ選べ。