第三種電気主任技術者・2009年度・理論

2009年度理論問13

問題文

図1にソース接地のFET増幅器の静特性に注目した回路を示す。この回路のFETのドレーン-ソース間電圧 $V_{DS}$ とドレーン電流 $I_{D}$ の特性は、図2に示す。
図1の回路において、ゲートーソース間電圧 $V_{GS}=-0.1$ [V] のとき、ドレーン-ソース間電圧 $V_{DS}$ [V]、ドレーン電流 $I_{D}$ [mA] の値として、最も近いものを組み合わせたのは次のうちどれか。
ただし、直流電源電圧 $E_{2}=12$ [V]、負荷抵抗 $R=1.2$ [kΩ] とする。

出典：第三種電気主任技術者 2009年度理論問13

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正解は(4)。負荷線（ロードライン）の方程式は、 $V_{DS} = E_{2} - R I_{D} = 12 - 1.2 I_{D}$ （ $I_{D}$ の単位は mA）この直線の切片は $(V_{DS}, I_{D}) = (12, 0)$ および $(0, 10)$ である。

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負荷線（ロードライン）の方程式は、
$V_{DS} = E_{2} - R I_{D} = 12 - 1.2 I_{D}$ （ $I_{D}$ の単位は mA）
この直線の切片は $(V_{DS}, I_{D}) = (12, 0)$ および $(0, 10)$ である。
この直線を特性曲線上に引き、 $V_{GS} = -0.1$ V の曲線との交点を読み取る。
$V_{GS} = -0.1$ V の曲線と負荷線の交点はおよそ $I_{D} \approx 6.0$ mA、 $V_{DS} \approx 4.8$ V となる。

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